삼성전자가 석 달 동안 번 영업이익이 107조 원입니다. 한 분기에 영업이익 100조 원을 넘긴 건 국내 기업 최초이고, 글로벌 빅테크 어디도 해보지 못한 기록이라고 합니다. 이 숫자를 끌어올린 주인공 가운데 하나가 손톱보다 작은 메모리 칩을 여러 겹 쌓아 만든 HBM입니다. 그중에서도 요즘 가장 자주 들리는 이름이 HBM4와 HBM3E입니다. 저는 메모리 설계자가 아니라 고속 인터페이스를 다루는 회로 설계자입니다. 그래서 두 제품의 차이를 "핀이 2배가 됐다"는 한 줄이 아니라, 설계자의 눈으로 구조부터 하나씩 풀어보고, 2026년 10월 기준 최신 뉴스까지 함께 정리했습니다. HBM이 뭐길래 이렇게 뜨거운가 [HBM3와 HBM4] HBM(High Bandwidth Memory, 고대역폭 메모리) 은 D램 칩을 여러 장 수직으로 쌓고, 칩들을 구멍으로 꿰뚫어 연결한 메모리입니다. 쉽게 말해 일반 D램이 1층짜리 단독주택이라면 HBM은 12층, 16층 아파트이고, 층과 층을 잇는 엘리베이터 통로 역할을 하는 것이 TSV(Through-Silicon Via, 실리콘 관통 전극) 입니다. AI 가속기에서 메모리가 중요한 이유는 간단합니다. 연산 장치가 아무리 빨라도 데이터를 제때 못 가져오면 놀게 되기 때문입니다. 이 데이터를 한 번에 얼마나 많이 실어 나르느냐가 대역폭(Bandwidth) 이고, HBM은 칩 하나에 1,000개가 넘는 데이터 통로를 열어 이 대역폭을 극단으로 끌어올린 제품입니다. 삼성전자의 3분기 잠정 영업이익은 107조 4천억 원으로 직전 분기 기록(89조 5천억 원)을 약 20% 넘어섰고, 증권가는 메모리 사업이 실적을 끌어올렸으며 HBM4 판매가 본격적으로 힘을 보태기 시작한 것으로 분석합니다(출처: 머니투데이방송, 삼성전자 분기 영업익 100조 시대 ). 같은 보도에서 삼성의 HBM4 3분기 매출은 직전 분기의 3배로 추정됩니다. 반도체가 "가장 핫한 이슈"가 된 데에는 이렇게 ...