삼성전자 DS부문 신입 공고에서 반도체 공정설계, 공정기술 직무가 받는 전공은 전기전자, 재료·금속, 화학·화공, 기계, 물리입니다. 전자공학과만 뽑는 게 아닙니다. 2026년 6월에는 SK하이닉스가 신입 수시채용에서 학력 제한까지 전면 폐지했습니다. 반도체 회사가 사람을 보는 기준이 '어느 학과 출신인가'에서 '이 직무를 해낼 수 있는가'로 빠르게 옮겨가고 있다는 신호입니다. 그렇다면 반도체 취업을 준비하는 사람은 전공을 어떻게 봐야 할까요? 저는 반도체 회사 안이 아니라 반도체 칩을 가져다 보드와 설비를 만드는 쪽에서 25년간 일해온 회로 설계자입니다. 그 시선으로 직무별 전공 지도와 준비 방법을 정리했습니다. 반도체 회사는 어떤 전공을 뽑을까, 공고로 확인 가장 확실한 근거는 채용 공고입니다. 2025년 상반기 삼성전자 DS부문 3급 신입사원 공고를 정리한 자료에 따르면 직무별 모집 전공은 다음과 같습니다(출처: 자소설닷컴, 삼성전자 DS부문 신입 채용 일정·직무 정리 ). 직무 모집 전공(공고 기준) 자격 요건 표현 반도체공정설계 전기전자(HW), 재료·금속, 화학·화공, 기계, 물리, 이공기타 전기전자, 재료, 물성, 화학, 회로, 소자, 물리 등 계열 전공자 또는 상응하는 전공지식 보유자 반도체공정기술 전기전자(HW), 재료·금속, 화학·화공, 기계, 물리, 이공기타 위와 동일한 계열 전공자 또는 상응하는 지식 설비기술 전기전자(HW), 재료·금속, 화학·화공, 기계, 물리, 이공기타 기계, 전기, 전자, 화학, 재료, 물리 계열 전공자 또는 상응하는 전공지식 보유자 공고 문구에서 눈여겨볼 부분은 "또는 이에 상응하는 전공지식 보유자"라는 표현입니다. 전공 이름이 아니라 전공 지식을 본다는 뜻입니다. 2026년 상반기 공채에서는 삼성전자 DS가 메모리, 시스템LSI, 파운드리 같은 사업부는 물론 반도체연구소, 제조 인프라, 패키징, AI 관련...

80억 개 파라미터짜리 AI 모델을 스마트폰에서 돌리면 초당 몇 글자나 나올까요? 계산해보면 약 19토큰입니다. NPU 성능을 두 배로 올려도 이 숫자는 거의 바뀌지 않습니다. 온디바이스 AI 반도체를 이야기할 때 대부분 "몇 TOPS냐"부터 묻습니다. 하지만 기기 안에서 AI가 얼마나 빠르게 돌아가는지는 TOPS가 아니라 데이터를 얼마나 빨리 읽어오느냐로 갈립니다. 온디바이스 AI 반도체가 무엇인지부터, TOPS 숫자의 함정, 2026년 10월 기준 최신 동향까지 회로 설계자의 눈으로 정리했습니다. 온디바이스 AI란, AI가 기기 안으로 들어온다 온디바이스 AI(On-Device AI) 는 클라우드 서버를 거치지 않고 스마트폰, PC, 자동차 같은 기기 자체에서 AI 연산을 처리하는 기술입니다. 쉽게 말해 챗GPT에 질문을 보내고 서버가 답을 돌려주는 방식이 클라우드 AI라면, 비행기 모드에서도 번역이 되는 방식이 온디바이스 AI입니다. 이게 왜 중요할까요? 데이터를 서버로 보내지 않으니 민감한 정보가 기기 밖으로 나가지 않고, 네트워크를 오가는 지연이 없어 반응이 빠르며, 인터넷이 끊겨도 동작합니다. 대신 한정된 배터리와 작은 방열 공간 안에서 연산과 메모리를 모두 해결해야 한다는 숙제가 따라옵니다. 구분 클라우드 AI 온디바이스 AI 연산 위치 데이터센터 GPU·HBM 서버 기기 안 SoC의 NPU·LPDDR 응답 지연 네트워크 왕복 포함 네트워크 지연 없음 개인정보 서버로 전송 기기 안에서 처리 오프라인 불가 가능 모델 크기 제약 거의 없음 메모리·전력에 묶여 소형 모델 중심 핵심 제약 서버 비용·전력 배터리, 발열, 메모리 대역폭 한 줄 요약 온디바이스 AI는 AI 연산을 서버가 아닌 기기 안에서 처리하는 방식입니다. 개인정보, 지연, 오프라인 동작에서 유리하지만 배터리·발열·메모리라는 하드웨어 제약을 넘어야 합니다. 온디바이스 AI...

삼성전자가 석 달 동안 번 영업이익이 107조 원입니다. 한 분기에 영업이익 100조 원을 넘긴 건 국내 기업 최초이고, 글로벌 빅테크 어디도 해보지 못한 기록이라고 합니다. 이 숫자를 끌어올린 주인공 가운데 하나가 손톱보다 작은 메모리 칩을 여러 겹 쌓아 만든 HBM입니다. 그중에서도 요즘 가장 자주 들리는 이름이 HBM4와 HBM3E입니다. 저는 메모리 설계자가 아니라 고속 인터페이스를 다루는 회로 설계자입니다. 그래서 두 제품의 차이를 "핀이 2배가 됐다"는 한 줄이 아니라, 설계자의 눈으로 구조부터 하나씩 풀어보고, 2026년 10월 기준 최신 뉴스까지 함께 정리했습니다. HBM이 뭐길래 이렇게 뜨거운가 [HBM3와 HBM4] HBM(High Bandwidth Memory, 고대역폭 메모리) 은 D램 칩을 여러 장 수직으로 쌓고, 칩들을 구멍으로 꿰뚫어 연결한 메모리입니다. 쉽게 말해 일반 D램이 1층짜리 단독주택이라면 HBM은 12층, 16층 아파트이고, 층과 층을 잇는 엘리베이터 통로 역할을 하는 것이 TSV(Through-Silicon Via, 실리콘 관통 전극) 입니다. AI 가속기에서 메모리가 중요한 이유는 간단합니다. 연산 장치가 아무리 빨라도 데이터를 제때 못 가져오면 놀게 되기 때문입니다. 이 데이터를 한 번에 얼마나 많이 실어 나르느냐가 대역폭(Bandwidth) 이고, HBM은 칩 하나에 1,000개가 넘는 데이터 통로를 열어 이 대역폭을 극단으로 끌어올린 제품입니다. 삼성전자의 3분기 잠정 영업이익은 107조 4천억 원으로 직전 분기 기록(89조 5천억 원)을 약 20% 넘어섰고, 증권가는 메모리 사업이 실적을 끌어올렸으며 HBM4 판매가 본격적으로 힘을 보태기 시작한 것으로 분석합니다(출처: 머니투데이방송, 삼성전자 분기 영업익 100조 시대 ). 같은 보도에서 삼성의 HBM4 3분기 매출은 직전 분기의 3배로 추정됩니다. 반도체가 "가장 핫한 이슈"가 된 데에는 이렇게 ...

8.1Gbps로 달리는 신호는 PCB에 닿기도 전에 이미 패키지 안의 와이어와 기판 배선을 먼저 지나옵니다. 이 짧은 구간이 가는 금선 한 가닥인지, 작은 솔더 범프인지에 따라 신호가 겪는 임피던스 불연속의 크기가 달라집니다. 회로도에는 그려지지 않지만, 보드 위의 모든 신호는 패키지에서 출발합니다. 반도체 패키징은 단순한 포장이 아니라 칩의 성능과 신뢰성을 가르는 기술이 됐습니다. 오래된 DIP에서 AI 가속기를 떠받치는 2.5D·3D 패키지까지, 종류가 많아 헷갈리는 패키징을 기준을 세워서 정리했습니다. 반도체 패키징이란, 칩에 옷과 길을 만들어주는 일 웨이퍼 위에서 회로를 다 새긴 칩(다이, Die)은 그대로는 쓸 수 없습니다. SK하이닉스 뉴스룸은 Fab 공정을 마친 웨이퍼가 온도 변화, 전기적 충격, 화학적·물리적 외부 손상에 취약한 상태라고 설명하며, 이를 보완하려고 칩을 둘러싸는 일이 패키징이라고 정리합니다(출처: SK하이닉스 뉴스룸, 경박단소(輕薄短小), 반도체 패키지의 방향 ). 패키지가 해야 하는 일은 크게 네 가지입니다. 칩을 외부 충격과 습기에서 보호하는 일, 칩 속 신호와 전원을 보드와 이어주는 일, 칩이 만든 열을 밖으로 내보내는 일, 그리고 칩을 기계적으로 지지하는 일입니다. 쉽게 말해 패키지는 칩에게 옷(보호)과 길(연결)과 환기구(방열)를 한꺼번에 만들어주는 구조물입니다. 일반적인 후공정 순서는 웨이퍼 뒷면을 갈아내는 백그라인딩, 칩을 낱개로 자르는 다이싱, 칩을 기판이나 리드프레임에 붙이는 다이 본딩, 칩과 기판을 전기적으로 잇는 와이어 본딩 또는 플립칩 본딩, 에폭시로 밀봉하는 몰딩, 그리고 최종 테스트로 이어집니다. 이 흐름 가운데 "어떻게 잇느냐"와 "밖으로 어떤 모양으로 내보내느냐"가 패키지 종류를 가르는 핵심입니다. 한 줄 요약 패키징은 웨이퍼에서 잘라낸 칩을 보호하고, 신호·전원을 연결하고, 열을 빼내고, 지지하는 후공정입니다. 연결 방식과 외형이 패...

한 달에 2분씩 시간이 앞서거나 뒤처지던 장비 로그 때문에, 원인을 소프트웨어에서만 찾다가 일주일을 날린 적이 있습니다. 범인은 코드가 아니라 기판 구석에 박힌 지름 3mm짜리 금속 원통, 크리스탈과 그 옆의 작은 커패시터 두 개였습니다. TR 시리즈의 마지막 11편은 입력 신호 없이 스스로 진동을 만들어내는 발진회로 입니다. 콜피츠와 하틀리 같은 LC 발진부터 MCU 옆에 늘 붙어 있는 크리스탈 발진까지, 같은 뿌리에서 나온 회로들을 한 줄로 이어서 정리합니다. [발진회로] 발진회로란, 입력 없이 스스로 신호를 만드는 증폭기 발진회로(Oscillator) 는 직류 전원만 주면 외부 입력 없이 일정한 주파수의 교류 신호를 스스로 만들어내는 회로입니다. 시계의 박자, 무선 송신기의 반송파, MCU의 클럭이 모두 여기서 나옵니다. 원리는 의외로 단순합니다. 2편의 증폭기 출력 일부를 입력으로 되돌려주는 양성 되먹임(positive feedback)을 걸되, 그 신호가 한 바퀴 돌아왔을 때 처음 신호와 위상이 같아지도록 설계하는 것입니다. 마이크가 스피커 소리를 다시 주워 "삑" 하고 울리는 하울링과 같은 현상을, 원하는 주파수에서만 일어나도록 길들인 셈입니다. 이 조건을 바크하우젠 조건(Barkhausen Criterion) 이라 부릅니다. 쉽게 말해 "되먹임 한 바퀴를 돌았을 때 신호가 줄어들지 않을 것(루프 이득 1 이상), 그리고 위상이 0도 또는 360도로 맞아떨어질 것"이라는 두 가지 약속입니다. 이 두 가지가 정확히 맞는 주파수가 곧 발진 주파수가 됩니다. 그 주파수를 골라주는 부품이 인덕터와 커패시터로 이뤄진 LC 공진회로, 혹은 수정(크리스탈)입니다. 한 줄 요약 발진회로는 증폭기 출력을 입력으로 되돌리는 양성 되먹임 회로입니다. 루프 이득이 1 이상이고 위상이 맞아떨어지는 주파수(바크하우젠 조건)에서 스스로 진동을 시작합니다. 시동과 진폭 안정, 노이즈에서 시작해 스스로 멈춰...

인버터가 돌기 시작하면 멀쩡하던 전류 측정값이 갑자기 춤을 추던 설비가 있었습니다. 센서도, 증폭기도, 배선도 그대로인데 모터만 켜면 값이 흔들렸습니다. 범인은 신호가 아니라 신호 옆에 같이 실려온 노이즈였습니다. 9편까지 전력 변환 응용을 다뤘다면, 10편부터는 마지막 갈래인 신호 처리 및 발진으로 들어갑니다. 첫 주제는 노이즈 속에서 진짜 신호만 골라내는 TR 두 개짜리 회로, 차동증폭회로 입니다. 차동증폭회로란, 두 입력의 차이만 키우는 회로 2편에서 다룬 공통이미터 증폭회로는 입력이 하나였고, 그 입력이 접지 기준으로 얼마나 높은지를 증폭했습니다. 반면 차동증폭회로(Differential Amplifier) 는 입력이 두 개이고, 두 입력 사이의 전압 차이만 증폭합니다. 두 입력에 똑같이 실려 들어오는 성분은 증폭하지 않고 버립니다. 전원 노이즈나 주변에서 날아든 전자기 간섭(EMI)처럼 두 선에 동시에, 같은 크기로 얹히는 잡음이 대표적입니다. 이렇게 두 입력에 공통으로 실린 성분을 공통모드(Common Mode) 신호라 부르고, 두 입력의 차이를 차동모드(Differential Mode) 신호라 부릅니다. [차동증폭회로] 국내 전자회로 학습 자료에서도 차동증폭기를 두 입력 신호 간의 차이를 증폭하는 회로로 정의하며, 두 입력에 공통으로 존재하는 노이즈를 구조적으로 제거할 수 있는 점이 가장 큰 가치라고 설명합니다(출처: 위키독스, 차동증폭기(Differential Amplifier) 맛보기 ). 연산증폭기, 계측증폭기, 비교기, 통신 수신단까지, 아날로그 회로의 입구에는 거의 예외 없이 이 구조가 자리 잡고 있습니다. 한 줄 요약 차동증폭회로는 두 입력의 차이(차동모드)만 증폭하고, 두 입력에 똑같이 실린 성분(공통모드)은 억제합니다. 노이즈가 많은 환경에서 작은 신호를 읽을 때 쓰는 가장 기본적인 구조입니다. 롱테일 페어, TR 두 개와 꼬리 전류로 만든 대칭 구조 BJT로 만드는 가장 기본적인 차동증폭...